Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2,4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность. Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля. В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.




Подробнее


Характеристики

ПроизводительMitsubishi
Макс.напр.к-э,В1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А150
Структура модуляполумост
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц20
Входная емкость затвора,нФ23
Драйвер управленияVLA504
Защита по токунет
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт960
Максимальный ток эмиттера, А300
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В7
Напряжение эмиттер-коллектор,В2.1
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс100
Напряжение изоляции, В2500
Тип
Полупроводниковые