IGBT модули IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц. 5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.




Подробнее


Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.

Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов 

Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс300
Входная емкость затвора,нФ90
Драйвер управленияVLA500
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Защита по токунет
Макс.напр.к-э,В600
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт1130
Максимальная частота модуляции,кГц20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В6
Максимальный ток эмиттера, А1200
Напряжение изоляции, В2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В1.7
Напряжение эмиттер-коллектор,В1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А600
Структура модуляполумост
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Тип
Полупроводниковые