• SiC MOSFET модуль в стандартном корпусе • Низкая индуктивность • Схема полумост • Топология переключающих ячеек • Низкое значение RDS(on) • Оптимизированные цепи управления • AlN Подложки • Медное основание • Стандартный корпус • Низкие статические и динамические потери • Быстрая и чистая коммутация • Низкое значение Rth(j-c) • Высокая стойкость к термоциклам
MOSFET (SiC) модули
| UCES [В]: | 1200 |
| ICnom [A]: | 1000 |
| Технология кристалла: | Trench-FS |
| Конфигурация: | SiC MOSFET |
| Исполнение: | Промышленное |
| Корпус (ширина/длина) [мм]: | MCDA (62/152) |