CM1200E4C-34N, IGBT модуль 1700В 1200A




Подробнее


Характеристики

ПроизводительMitsubishi
Макс.напр.к-э,В1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15
Номинальный ток одиночного тр-ра,А1200
Структура модулячоппер с диодом
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц15
Входная емкость затвора,нФ176
Драйвер управлениявнешний
Защита по токунет
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт6500
Максимальный ток эмиттера, А2400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В7
Напряжение эмиттер-коллектор,В2.6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс400
Напряжение изоляции, В4000
Тип
Полупроводниковые