CM800DZ-34H, 2 IGBT 1700V 800A




Подробнее


Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс1300
Входная емкость затвора,нФ72
Драйвер управлениявнешний
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Защита по токунет
Макс.напр.к-э,В1700
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт6250
Максимальная частота модуляции,кГц15
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В5.5
Максимальный ток эмиттера, А1600
Напряжение изоляции, В4000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.6
Напряжение эмиттер-коллектор,В2.3
Номинальный ток одиночного тр-ра,А800
Структура модуляполумост
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Тип
Полупроводниковые