IGBT модули Новые промышленные полумостовые IGBT модули Mitsubishi 600А 1200В в низкопрофильном корпусе CM600DX-24S1 на кристаллах IGBT последнего поколения (6.1). Благодаря применению кристаллов поколения 6.1 удалось повысить плотность внутренней компоновки и уменьшить размер корпуса при сохранении электрических параметров. Модули подходят для большинства промышленных применений, а также могут использоваться в автомобильной электронике.




Подробнее


Преимущества:
— Температура кристалла до 175C
— Изоляционное напряжение 4000В
— Низкое тепловое сопротивление
— Высокая надежность
— Гладкое основание (0..+100мкм)

Технические параметры

Макс.напр.к-э,В1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А600
Тип
Полупроводниковые