| Структура | четыре транзистора |
| Наличие схем управления/защиты в составе модуля | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Максимально допустимый импульсный ток э,А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В | 2.9 |
| Входная емкость затвора,нФ | 7.5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Температурный диапазон,С | -40…150 |
| Корпус | cm50b |