Характеристики
| Производитель | Mitsubishi |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.1 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 2400 |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 396 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 4800 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |