IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восстановление Низкое падение напряжения AlSiC основание AlN DBC подложки Ультразвуковая приварка силовых выводов
IGBT модули
| UCES [В]: | 3300 |
| ICnom [A]: | 1500 |
| Технология кристалла: | Trench-FS |
| Конфигурация: | Single Switch |
| Исполнение: | Транспортное |
| Корпус (ширина/длина) [мм]: | MIHM (140/190) |