Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2.4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность. Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля. В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.




Подробнее


Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс180
Входная емкость затвора,нФ70
Драйвер управленияVLA503
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Защита по токунет
Макс.напр.к-э,В1200
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт2350
Максимальная частота модуляции,кГц20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В7
Максимальный ток эмиттера, А800
Напряжение изоляции, В2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.1
Напряжение эмиттер-коллектор,В2.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А400
Структура модуляодиночный транзистор
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Тип
Полупроводниковые